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氮化矽專業氣壓燒結爐

日期:2019/7/24 13:43:28

氮化矽專業氣壓燒結爐

 

氣壓燒結氮化矽在 1 10MPa 氣壓下, 2000 ℃左右溫度下進行。高的氮氣壓抑制了氮化矽的高溫分解。由于采用高溫燒結,在添加較少燒結助劑情況下,也足以促進 Si3N4 晶粒生長,而獲得密度 > 99% 的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷。

 

 

工藝流程圖

 

氣壓燒結爐

 

 

技術參數

 

 

典型應用

 
  • 陶瓷軸承
  • 陶瓷刀具
     

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